铌酸锂电光调制器

具有“光学硅”之称的铌酸锂是一种集光折变效应、非线性效应、电光效应、声光效应、压电效应与热电效应等于一体的材料，可以制备集成光子回路中的光波导、光开关、分/合束器、压电调制器、热电调制器与电光调制器等器件，其中铌酸锂调制器是光子集成回路和现代通信的核心器件，已成为当前电光调制器市场的主流产品。

铌酸锂是一种非常重要的非线性材料，它的透明波段非常宽，从350nm到5.2um，其在非线性光学(激光频率转换)、光电调制等领域应用非常广泛。

目前，铌酸锂调制器主要应用于长距离通信中，其对性能要求较高，而体积成为次要考虑因素。但是在数据中心中，性能相对要求较低，而对体积和功耗的要求更高，铌酸锂调制器显然不如硅基、InP等片上集成的调制器受青睐。

为了减小其体积，研究人员做了很多尝试。比如在Si衬底上键合一层铌酸锂薄膜，进而再加工波导和RF电极，形成调制器。

总的说来，经过这么多年的发展，铌酸锂调制器技术已经非常成熟，其性能优异，应用广泛。可以借鉴其高速RF电极的设计，应用在硅基调制器的设计上。

新特光电提供的电光Q开关采用了最高光学品质铌酸锂。铌酸锂的光电效应使其对几种激光类型的普克尔盒Q开关上具有极其重要的作用(包括: Nd:YAG、Nd:YALO、Nd:YLF和Er:YLF)。

铌酸锂晶体Q开关可同时用于军事和商业应用，包括目标位置传送系统、激光测距和眼科手术。当使用在垂直于光轴或Z轴的横向电场上时，铌酸锂能够在一个较大的温度范围内表现出高消光比、极低传输损耗、低开关电压和恒温的特性。这些晶体的特性，结合基于铌酸锂晶体的生长及优良的抗反射(AR)镀膜方面的专业知识，使其成为军用加固、工业应用中的理想选择。